為了推動亞太地區(qū)碳化硅等寬禁帶半導體產(chǎn)業(yè)與學術(shù)的發(fā)展，加強交流與協(xié)同創(chuàng)新，由中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟、中科院物理所和北京硅酸鹽學會發(fā)起并主辦第一屆亞太碳化硅及相關(guān)材料國際會議（2018年）將于2018年7月9日-12日在北京舉行，參會規(guī)模近400人。APCSCRM將是一個亞太地區(qū)高水平的碳化硅等寬禁帶半導體相關(guān)材料、器件的產(chǎn)業(yè)與學術(shù)并重的高水平論壇。從2018年開始，每年召開一次大會，地點在亞太地區(qū)不同地點輪換。
為鼓勵寬禁帶半導體材料生長、器件制備及封裝和器件模塊應用等領(lǐng)域理論和技術(shù)的學習與交流，會議將開展論文交流活動，歡迎國內(nèi)外高校、科研院所和企事業(yè)單位的寬禁帶半導體材料、器件、應用領(lǐng)域的專業(yè)技術(shù)人員投稿并與會交流，被錄用的論文將擇優(yōu)在“Materials Express” （SCI收錄）、“Diamond and Related Materials” （SCI收錄）、“Journal of Crystal Growth” （SCI收錄）、“physica status solidi (a)” （SCI收錄）或“Materials science forum ” （EI收錄）雜志全文出版發(fā)表?，F(xiàn)將有關(guān)事項通知如下：
一、征文范圍
凡以寬禁帶半導體為論述主體（交叉學科論文必須側(cè)重寬禁帶半導體技術(shù)領(lǐng)域），在理論或應用實踐上具有創(chuàng)新價值的，有科學依據(jù)和可靠數(shù)據(jù)的技術(shù)報告，階段性成果報告，以及屬于前沿技術(shù)，并對寬禁帶半導體學科發(fā)展有指導意義的展望評論性論文，均可投稿。
二、稿件要求
1. 只接受英文稿件；
2. 內(nèi)容具體，突出創(chuàng)新研究成果，具有重要的學術(shù)價值或推廣應用價值；
3. 原創(chuàng)的、未發(fā)表的研究成果、技術(shù)綜述、工作經(jīng)驗總結(jié)或技術(shù)進展報告；
4. 不得涉及國家秘密；
5. 論文篇幅不限。
三、論文檢索情況:
SCI及EI檢索
四、投稿說明：
1. 投稿通過APCSCRM官網(wǎng)在線投稿
2. 摘要提交截止日期：2018年6月15日
3. 全文投稿截止日期：2018年7月5日
4. 投稿人請隨時關(guān)注論文評審情況（APCSCRM官網(wǎng)在線投稿系統(tǒng)）。
五、相關(guān)費用
1. 論文費用：包括版面費和審稿費，由期刊編輯部另行收取，具體請咨詢（聯(lián)系方式見下聯(lián)系方式）
2. 交納方式
（1）銀行匯款
開戶名稱：中關(guān)村天合寬禁帶半導體技術(shù)創(chuàng)新聯(lián)盟
開戶銀行：北京農(nóng)村商業(yè)銀行股份有限公司北臧村支行
收款賬號：0905000103000006397
（在匯款備注“APCSCRM+費用類別+匯款單位/作者姓名”）；
（2）網(wǎng)銀、微信或支付寶在線支付（會議官網(wǎng)有支付鏈接）
（支付備注“APCSCRM+費用類別+匯款單位/作者姓名”）
3．請盡量于2018年6月9日之前交納（可以享受折扣優(yōu)惠）；
六、會議錄用論文刊印
被錄用的論文將擇優(yōu)在“Materials Express” （SCI收錄）、“Diamond and Related Materials” （SCI收錄）、“Journal of Crystal Growth” （SCI收錄）、“physica status solidi (a)” （SCI收錄）或“Materials science forum ” （EI收錄）雜志全文出版發(fā)表。部分優(yōu)秀論文作者有機會在會場作口頭報告或板報展示。
